Imagen 1 de 1
![Modelado de transistores Mos basado en carga: el modelo Ekv para baja potencia y RF IC... - Imagen 1 de 1](https://i.ebayimg.com/images/g/Fi0AAOSwyAtjaIqs/s-l500.jpg)
Modelado de transistores Mos basado en carga: el modelo Ekv para baja potencia y RF IC...-
Estado:
3 disponibles
Envío:
Ubicado en: Jessup, Maryland, Estados Unidos
Entrega:
Entrega prevista entre el mié. 10 jul. y el sáb. 20 jul. a 43230
Devoluciones:
14 días para devoluciones. El comprador paga el envío de la devolución. Ver detalles- Más información sobre devoluciones
Pagos:
Compra con confianza
Información del vendedor
- 96,8% de votos positivos
Registrado como vendedor profesional
El vendedor asume toda la responsabilidad de este anuncio.
N.º de artículo de eBay:385216914861
Última actualización el 23 jun 2024 01:27:58 H.EspVer todas las actualizacionesVer todas las actualizaciones
Características del artículo
- Estado
- ISBN
- 9780470855416
- Book Title
- Charge-Based Mos Transistor Modeling : the Ekv Model for Low-Power and RF Ic Design
- Publisher
- Wiley & Sons, Incorporated, John
- Item Length
- 9.9 in
- Publication Year
- 2006
- Format
- Hardcover
- Language
- English
- Illustrator
- Yes
- Item Height
- 1 in
- Genre
- Technology & Engineering
- Topic
- Electronics / Circuits / Integrated, Electronics / Circuits / General, Electronics / Transistors
- Item Weight
- 26.9 Oz
- Item Width
- 6.9 in
- Number of Pages
- 328 Pages
Acerca de este producto
Product Information
As technology scales down to sub-micron dimensions the modelling of MOS device operation becomes of greater concern. The EKV model has been developed to facilitate the modelling and simulation of low voltage devices for application in low power semiconductor technologies.
Product Identifiers
Publisher
Wiley & Sons, Incorporated, John
ISBN-10
047085541x
ISBN-13
9780470855416
eBay Product ID (ePID)
13038262706
Product Key Features
Book Title
Charge-Based Mos Transistor Modeling : the Ekv Model for Low-Power and RF Ic Design
Number of Pages
328 Pages
Language
English
Publication Year
2006
Topic
Electronics / Circuits / Integrated, Electronics / Circuits / General, Electronics / Transistors
Illustrator
Yes
Genre
Technology & Engineering
Format
Hardcover
Dimensions
Item Height
1 in
Item Weight
26.9 Oz
Item Length
9.9 in
Item Width
6.9 in
Additional Product Features
Intended Audience
Trade
Dewey Edition
22
Lccn
2006-041744
Dewey Decimal
621.3815284
Lc Classification Number
Tk7871.99.M44
Table of Content
Foreword. Preface. List of Symbols. 1. Introduction. 1.1 The Importance of Device Modeling for IC Design. 1.2 A Short History of the EKV MOST Model. 1.3 The Book Structure. PART I: THE BASIC LONG-CHANNELINTRINSIC CHARGE-BASED MODEL. 2. Introduction. 2.1 The N-channel Transistor Structure. 2.2 Definition of charges, current, potential and electric fields. 2.3 Transistor symbol and P-channel transistor. 3. The Basic Charge Model. 3.1 Poisson's Equation and Gradual Channel Approximation. 3.2 Surface potential as a Function of Gate Voltage. 3.3 Gate Capacitance. 3.4 Charge Sheet Approximation. 3.5 Density of Mobile Inverted Charge. 3.6 Charge-Potential Linearization. 4. Static Drain Current. 4.1 Drain Current Expression. 4.2 Forward and Reverse Current Components. 4.3 Modes of Operation. 4.4 Model of Drain Current Based on Charge Linearization. 4.5 Fundamental Property: Validity and Application. 4.6 Channel Length Modulation. 5. The Small-Signal Model. 5.1 The Static Small-Signal Model. 5.2 A General Non-Quasi-Static Small-Signal Model. 5.3 The Quasi-Static Dynamic Small-Signal Model. 6. The Noise Model. 6.1 Noise Calculation Methods. 6.2 Low-Frequency Channel Thermal Noise. 6.3 Flicker Noise. 6.4 Appendices. Appendix : The Nyquist and Bode Theorems. Appendix : General Noise Expression. 7. Temperature Effects and Matching. 7.1 Introduction. 7.2 Temperature Effects. PART II: THE EXTENDED CHARGE-BASED MODEL. 8. Non-Ideal Effects Related to the Vertical Dimension. 8.1 Introduction. 8.2 Mobility Reduction Due to the Vertical Field. 8.3 Non-Uniform Vertical Doping. 8.4 Polysilicon Depletion. 8.4.1 Definition of the Effect. 8.5 Band Gap Widening. 8.6 Gate Leakage Current. 9. Short-Channel Effects. 9.1 Velocity Saturation. 9.2 Channel Length Modulation. 9.3 Drain Induced Barrier Lowering. 9.4 Short-Channel Thermal Noise Model. 10. The Extrinsic Model. 10.1 Extrinsic Part of the Device. 10.2 Access Resistances. 10.3 Overlap Regions. 10.4 Source and Drain Junctions. 10.5 Extrinsic Noise Sources. PART III: THE HIGH-FREQUENCY MODEL. 11. Equivalent Circuit at RF. 11.1 RF MOS Transistor Structure and Layout. 11.2 What Changes at RF'. 11.3 Transistor Figures of Merit. 11.4 Equivalent Circuit at RF. 12. The Small-Signal Model at RF. 12.1 The Equivalent Small-Signal Circuit at RF. 12.2 Y-Parameters Analysis. 12.3 The Large-Signal Model at RF. 13. The Noise Model at RF. 13.1 The HF Noise Parameters. 13.2 The High-Frequency Thermal Noise Model. 13.3 HF Noise Parameters of a Common-Source Amplifier. References. Index.
Copyright Date
2006
Descripción del artículo del vendedor
Información de vendedor profesional
Expert Trading Limited
John Boyer
9220 Rumsey Rd
Ste 101
21045-1956 Columbia, MD
United States
Certifico que todas mis actividades de venta cumplirán todas las leyes y reglamentos de la UE.
El vendedor asume toda la responsabilidad de este anuncio.
N.º de artículo de eBay:385216914861
Última actualización el 23 jun 2024 01:27:58 H.EspVer todas las actualizacionesVer todas las actualizaciones
Envío y manipulación
Ubicación del artículo:
Jessup, Maryland, Estados Unidos
Realiza envíos a:
Afganistán, Albania, Alemania, América, Andorra, Angola, Anguila, Antigua y Barbuda, Arabia Saudí, Argelia, Argentina, Armenia, Aruba, Australia, Austria, Azerbaiyán, Bahamas, Bahréin, Bangladés, Belice, Benín, Bermudas, Bolivia, Bosnia-Herzegovina, Botsuana, Brasil, Brunéi, Bulgaria, Burkina Faso, Burundi, Bután, Bélgica, Cabo Verde, Camboya, Camerún, Canadá, Chad, Chile, China, Chipre, Colombia, Corea del Sur, Costa Rica, Costa de Marfil, Dinamarca, Ecuador, Egipto, El Salvador, Emiratos Árabes Unidos, Eritrea, Eslovaquia, Eslovenia, España, Estonia, Etiopía, Europa, Fiji, Filipinas, Finlandia, Francia, Gabón, Gambia, Georgia, Ghana, Gibraltar, Granada, Grecia, Groenlandia, Guatemala, Guinea, Guinea Ecuatorial, Guinea-Bisáu, Guyana, Haití, Honduras, Hong Kong, Hungría, India, Indonesia, Irlanda, Islandia, Islas Caimán, Islas Salomón, Islas Turcas y Caicos, Israel, Italia, Jamaica, Japón, Jordania, Kazajistán, Kenia, Kirguistán, Kiribati, Kuwait, Laos, Lesoto, Letonia, Liberia, Liechtenstein, Lituania, Luxemburgo, Líbano, Macao, Macedonia, Madagascar, Malasia, Malaui, Maldivas, Malta, Malí, Marruecos, Mauricio, Mauritania, Moldavia, Mongolia, Montenegro, Montserrat, Mozambique, México, Mónaco, Namibia, Nauru, Nepal, Nicaragua, Nigeria, Noruega, Nueva Zelanda, Níger, Omán, Pakistán, Panamá, Papúa Nueva Guinea, Paraguay, Países Bajos, Perú, Polonia, Portugal, Qatar, Reino Unido, República Centroafricana, República Checa, República Democrática del Congo, República Dominicana, República de Croacia, República del Congo, Ruanda, Rumanía, Samoa, San Cristóbal y Nieves, San Marino, San Vicente y las Granadinas, Santa Lucía, Senegal, Serbia, Seychelles, Sierra Leona, Singapur, Sri Lanka, Suazilandia, Sudáfrica, Suecia, Suiza, Surinam, Tailandia, Taiwán, Tanzania, Tayikistán, Togo, Tonga, Trinidad y Tobago, Turkmenistán, Turquía, Túnez, Uganda, Uruguay, Uzbekistán, Vanuatu, Vaticano, Vietnam, Wallis y Futuna, Yemen, Yibuti, Zambia, Zimbabue
Excluye:
APO/FPO, Barbados, Federación Rusa, Guadalupe, Guayana Francesa, Libia, Martinica, Nueva Caledonia, Polinesia Francesa, Protectorados de EE. UU., Reunión, Ucrania, Venezuela
Envío y manipulación | Cada artículo adicional | A | Servicio | Entrega*Consulta las notas de entrega |
---|---|---|---|---|
Envío gratis | Gratis | Estados Unidos | Economy Shipping | Entrega prevista entre el mié. 10 jul. y el sáb. 20 jul. a 43230 |
Tiempo de manipulación |
---|
Normalmente, se enviará en un plazo de 10 días laborables desde que se haga efectivo el pago. |
Impuestos |
---|
El vendedor cobra impuestos de ventas en |
Impuesto de ventas del artículo 385216914861
Impuesto de ventas del artículo 385216914861
El vendedor carga un impuesto de ventas por los artículos enviados a los siguientes estados:
Estado o provincia | Porcentaje de impuesto de ventas |
---|
Política de devoluciones
Cuando recibas el artículo, ponte en contacto con el vendedor en un plazo de | Forma del reembolso | Gastos de envío de la devolución |
---|---|---|
14 días | Reembolso del dinero | El comprador paga el envío de la devolución |
Pulsa aquíaquí para obtener más información sobre devoluciones. En las transacciones que cumplan los requisitos necesarios, estarás cubierto por la Garantía al cliente de eBay si recibiste un artículo que es distinto de la descripción que aparece en el anuncio.
El comprador es responsable de los gastos de envío de la devolución.
Detalles de la política de devoluciones |
---|
Se aceptan devoluciones |
Detalles de pago
Formas de pago
Nota: como resultado de la valoración de riesgo del comprador, es posible que algunas formas de pago no estén disponibles en el proceso de Pago y envío.
Registrado como vendedor profesional
Votos de vendedor (344.755)
r***6 (50)- Votos emitidos por el comprador.
Mes pasado
Compra verificada
The item is in very good condition and the seller's shipping time was acceptable for media mail. Just as advertised! Thank you.
a***- (878)- Votos emitidos por el comprador.
Mes pasado
Compra verificada
Fast shipping..great recipes!
u***r (337)- Votos emitidos por el comprador.
Mes pasado
Compra verificada
Exactly as described, arrived on time