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Transistor de potencia bipolar de silicona metálica Hitachi NPN TO-1 2SC649 30V 30mA 2-PK - Imagen 1 de 2
Transistor de potencia bipolar de silicona metálica Hitachi NPN TO-1 2SC649 30V 30mA 2-PK - Imagen 2 de 2
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Transistor de potencia bipolar de silicona metálica Hitachi NPN TO-1 2SC649 30V 30mA 2-PK-

Texto original
HITACHI NPN TO-1 Metal Silicon Bipolar Power Transistor 2SC649 30V 30mA 2-PK
ddrewry
(1879)
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Notas del vendedor
“New in Bag NOS (Pair)”
Mounting Style
Through-Hole
Collector-Emitter Voltage
30V
Configuration
Single
Maximum Collector-Base Voltage
30V
Maximum Base-Emitter Voltage
10V
Package/Case
TO-1
MPN
2SC649
Transistor Category
Power Transistor
Minimum Operating Temperature
-55 °C (-67 °F)
Brand
Hitachi
Type
NPN
Maximum Base-Emitter Saturation Voltage
1.2V
Maximum DC Collector Current
30 mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
2V
Number of Pins
3
Packaging
Bag
Maximum Power Dissipation
200 mW
Maximum Operating Frequency
220 MHz
Maximum Operating Temperature
110 °C (230 °F)
Country/Region of Manufacture
Japan

Descripción del artículo del vendedor

Acerca de este vendedor

ddrewry

99% de votos positivos•4,7 mil artículos vendidos

Se unió el jun 1998
Registrado como vendedor particularPor tanto, no se aplican los derechos de los consumidores derivados de las leyes de protección de los consumidores de la UE. La Garantía al cliente de eBay sigue aplicando a la mayoría de compras. Más informaciónMás información
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