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Memoria IC DRAM 511000 1M 1024Kx1 100ns NMOS lado/prueba Hitachi HM511000S DIP18
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Memoria IC DRAM 511000 1M 1024Kx1 100ns NMOS lado/prueba Hitachi HM511000S DIP18
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Memoria IC DRAM 511000 1M 1024Kx1 100ns NMOS lado/prueba Hitachi HM511000S DIP18-

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IC Speicher DRAM 511000 1M 1024Kx1 100ns NMOS Seite/Test Hitachi HM511000S DIP18
slawmir
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    N.º de artículo de eBay:156719434264
    Última actualización el 19 sep 2025 20:43:49 H.EspVer todas las actualizacionesVer todas las actualizaciones

    Características del artículo

    Estado
    Nuevo: Otro (ver detalles): Un artículo nuevo, en estado excelente, que no muestra signos de uso o ...
    MPN
    HM511000P-10S HITA 8747 DIP18
    Gehäusematerial
    PLASTIK
    Marke
    Hitachi
    Anzahl der Pins
    18
    Typ
    DRAM
    Schnittstellentyp
    Spannungslogikschnittstelle
    Maximale Betriebstemperatur
    70 °C (158 °F)
    Speichergröße
    1 Mbit
    Minimale Betriebstemperatur
    0 °C (32 °F)
    Montageart
    PCB Fassung
    Serie
    511000S
    Minimale Betriebsspannung
    4,5 V
    Herstellungsland und -region
    Japan
    Maximaler Eingangsstrom
    60mA
    Maximale Betriebsspannung
    5,5 V
    EAN
    Nicht zutreffend

    Descripción del artículo del vendedor

    Información de vendedor profesional

    Certifico que todas mis actividades de venta cumplirán todas las leyes y reglamentos de la UE.
    Número de IVA: PL 5210443539
    Remito facturas con el IVA desglosado aparte.
    Información adicional:
    Shipping address: Dzierzoniowska 9A, 01-985 Warszawa, Poland
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